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HMC1021Z单轴AMR磁传感器霍尼韦尔Honeywell

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1 供电参数

  • 电桥供电 Vbridge:2V~25V 超宽电压,常规 5V、3.3V 均可使用,适配绝大多数工控、单片机系统
  • 桥臂电阻:典型 1100Ω(HMC1001 为 850Ω),功耗更低,稳定性更好Honeywell
  • 总静态电流:≤10mA,适配电池供电设备
  • 带宽:DC~5MHz,兼顾静态地磁、高频交变磁场检测

2 磁场关键性能(核心对标 HMC1001)

表格
参数HMC1021Z补充说明
标准线性量程±2Gs(±0.2mT)完整覆盖地磁场(0.5Gs);短时最高耐受 ±6Gs
灵敏度1mV/V/Gs5V 供电:1Gs 对应差分输出 5mV;比 HMC1001(3.2mV/V/Gs)灵敏度更低,需要更高运放增益放大Honeywell
分辨率85μGs(典型低至 27μGs)可捕捉微弱地磁变化,航向精度充足
S/R 复位最低电流0.5A 脉冲(1~2μs)HMC1001 需要 3A,本芯片复位驱动更简单,3.3V/5V 小功率三极管即可实现,外围成本大幅下降Honeywell
噪声密度48nV/√Hz@1Hz低频噪声优秀,适合长时间静态地磁采集
抗磁化干扰>20Gs 才会磁化失敏强磁场耐受优于老款,故障率更低
线性误差≤±0.5% FS;迟滞≤0.1% FS高低温稳定性优秀

3 温度规格

  • 工作温度:-40℃ ~ +125℃,比 HMC1001 上限更高,耐高温工业场景更合适
  • 存储温度:-55℃ ~ +125℃
  • 温漂:灵敏度温漂 - 0.3%/℃,必须依靠 S/R 周期性复位抑制零点漂移

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