
HMC1021Z单轴AMR磁传感器霍尼韦尔Honeywell
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产品详情
1 供电参数
- 电桥供电 Vbridge:2V~25V 超宽电压,常规 5V、3.3V 均可使用,适配绝大多数工控、单片机系统
- 桥臂电阻:典型 1100Ω(HMC1001 为 850Ω),功耗更低,稳定性更好Honeywell
- 总静态电流:≤10mA,适配电池供电设备
- 带宽:DC~5MHz,兼顾静态地磁、高频交变磁场检测
2 磁场关键性能(核心对标 HMC1001)
| 参数 | HMC1021Z | 补充说明 |
|---|---|---|
| 标准线性量程 | ±2Gs(±0.2mT) | 完整覆盖地磁场(0.5Gs);短时最高耐受 ±6Gs |
| 灵敏度 | 1mV/V/Gs | 5V 供电:1Gs 对应差分输出 5mV;比 HMC1001(3.2mV/V/Gs)灵敏度更低,需要更高运放增益放大Honeywell |
| 分辨率 | 85μGs(典型低至 27μGs) | 可捕捉微弱地磁变化,航向精度充足 |
| S/R 复位最低电流 | 0.5A 脉冲(1~2μs) | HMC1001 需要 3A,本芯片复位驱动更简单,3.3V/5V 小功率三极管即可实现,外围成本大幅下降Honeywell |
| 噪声密度 | 48nV/√Hz@1Hz | 低频噪声优秀,适合长时间静态地磁采集 |
| 抗磁化干扰 | >20Gs 才会磁化失敏 | 强磁场耐受优于老款,故障率更低 |
| 线性误差 | ≤±0.5% FS;迟滞≤0.1% FS | 高低温稳定性优秀 |
3 温度规格
- 工作温度:-40℃ ~ +125℃,比 HMC1001 上限更高,耐高温工业场景更合适
- 存储温度:-55℃ ~ +125℃
- 温漂:灵敏度温漂 - 0.3%/℃,必须依靠 S/R 周期性复位抑制零点漂移
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